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| 【LED】我國紫外LED和應(yīng)用研究技術(shù)取得重要突破 |
| （時間:2011-1-7 10:46:15） |
“十一五”國家863計劃新材料技術(shù)領(lǐng)域重大項目“半導(dǎo)體照明工程”課題“深紫外LED 制備和應(yīng)用技術(shù)研究”經(jīng)過持續(xù)攻關(guān)，在高鋁組分材料研究和器件應(yīng)用方面取得重要突破。
半導(dǎo)體深紫外光源在照明、殺菌、醫(yī)療、印刷、生化檢測、高密度的信息儲存和保密通訊等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價值。以AlGaN材料為有源區(qū)的深紫外LED的發(fā)光波長能夠覆蓋210-365nm的紫外波段，是實現(xiàn)該波段深紫外LED器件產(chǎn)品的理想材料，具有其它傳統(tǒng)紫外光源無法比擬的優(yōu)勢。
在國家863計劃支持下，課題研究團隊集中開展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作，著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質(zhì)量差、鋁組分低、無法實現(xiàn)短波長發(fā)光和結(jié)構(gòu)材料設(shè)計等問題，在一些關(guān)鍵技術(shù)方面取得了突破，獲得了高結(jié)晶質(zhì)量無裂紋的高鋁組分材料。在此基礎(chǔ)上，課題在國內(nèi)首次成功制備了300nm以下的深紫外LED器件，實現(xiàn)了器件的毫瓦級功率輸出，開發(fā)了深紫外殺菌模塊，經(jīng)測試殺菌率達到95%以上。
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